Kas pakeis dabartinę elektroninę atmintį?

Kairėje – standartinė SMD varža (1,6 mm), dešinėje – memristoriaus prototipas. Doc. Tomo Šalkaus nuotrauka

Vilniaus universiteto mokslininkai (VU) kartu su partneriais iš Federalinio technologijos instituto Ciuriche daro prielaidą, kad dabartinius duomenų įrašymo ir saugojimo įrenginius ateityje pakeis memristorinė atmintis.

„Šių elementų varžą galima keisti elektriniu lauku, o pakeista varžos vertė išlieka ilgą laiką. Tai leidžia įrašyti informaciją. Memristoriaus varžos pasikeitimą lemiantys mechanizmai iki šiol ne iki galo suprasti. Juos siekėme išsiaiškinti pritaikę Vilniaus universiteto Fizikos fakultete sukurtas unikalias kompleksinės varžos tyrimų metodikas“, – sako VU Fizikos fakulteto Radiofizikos katedros docentas Tomas Šalkus. Jis tikisi, kad memristoriai ateityje galės būti pagaminti ne tik Šveicarijoje, bet ir VU Fizikos fakultete.

Memristorių gamybai gali būti naudojami deguonies kietųjų elektrolitų plonieji sluoksniai. Jų gamybą impulsinio lazerinio nusodinimo (PLD) metodu puikiai įsisavinę Federalinio technologijos instituto Ciuriche mokslininkai. Šveicarijoje buvo paruošti specialios geometrijos memristorių prototipai, kurių elektrinės savybės toliau tyrinėtos VU Fizikos fakultete. VU tyrėjai Šveicarijoje buvo apmokyti dirbti su sudėtinga PLD aparatūra.

Projektas „Memristorinių deguonies sluoksnių plačiajuosčiai impedanso tyrimai“ finansuojamas pagal Lietuvos–Šveicarijos bendradarbiavimo programos, kuria siekiama sumažinti ekonominius ir socialinius skirtumus išsiplėtusioje Europos Sąjungoje, projekto sutartį Nr. CH-3-ŠMM-02/06.